12月8日消息，秀项代今天Intel发文介绍了在IEDM 2024（2024年IEEE国际电子器件会议）上展示的出多多项技术突破。

在新材料方面，工技减成法钌互连技术（subtractive Ruthenium）最高可将线间电容降低25%，术突有助于改善芯片内互连。破吞

Intel代工还率先展示了一种用于先进封装的吐量异构集成解决方案，能够将吞吐量提升高达100倍，暴增倍实现超快速的秀项代芯片间封装（chip-to-chip assembly）。

此外，出多Intel代工还展示了硅基RibbionFET CMOS （互补金属氧化物半导体）技术，工技以及用于微缩的术突2D场效应晶体管（2D FETs）的栅氧化层（gate oxide）模块，以提高设备性能。破吞 

在300毫米GaN（氮化镓）技术方面，吐量Intel代工也在继续推进研究，暴增倍制造了业界领先的秀项代高性能微缩增强型GaN MOSHEMT（金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管）。

可以通过减少信号损失，提高信号线性度和基于衬底背部处理的先进集成方案，为功率器件和射频器件等应用带来更强的性能。

Intel代工还认为，以下三个关键的创新着力点将有助于AI在未来十年朝着能效更高的方向发展：

先进内存集成（memory integration），以消除容量、带宽和延迟的瓶颈；

用于优化互连带宽的混合键合；

模块化系统（modular system）及相应的连接解决方案

(责任编辑：综合)